Wat is RF MEMS en RF SOI tegnologieë? Wie is die oorheerser van toekomstige radiofrekwensie-tegnologie?

Wat is RF MEMS?

Die sogenaamde RF MEMS is 'n RF-produk wat met MEMS-tegnologie verwerk word. Daar word verwag dat RF-MEMS-tegnologie 'n hoë mate van integrasie met MMIC sal bewerkstellig, wat dit moontlik maak om 'n stelselintegrasie-chip (SOC) te maak wat die verkryging, verwerking, versending, verwerking en uitvoering van inligting integreer. Volgens die konsep van mikro-elektronika-tegnologie kan produksie en massaproduksie op wafervlak nie net die voordele van lae prys, klein grootte, ligte gewig en hoë betroubaarheid hê nie. RF MEMS-toestelle kan in twee hoofkategorieë verdeel word: een word passiewe MEMS genoem, en die struktuur daarvan het geen bewegende dele nie; die ander word aktiewe MEMS genoem, wat 'n beweegbare struktuur het. Onder die werking van elektriese spanning sal die beweegbare dele vervorm of beweeg. Die belangrikste verwerkingstegnologieë is in vier kategorieë verdeel: planêre verwerkingstegnologie, grootmaat silikon-korrosietegnologie, vaste-fase-bindtegnologie en LIGA-tegnologie.

Radiofrekwensie mikro-elektromeganiese stelsel (RF MEMS) is een van die belangrikste toepassingsgebiede van MEMS-tegnologie, en dit is ook sedert die negentigerjare 'n navorsingspunt in die MEMS-veld. RFMEMS word gebruik vir seinverwerking in radiofrekwensie- en mikrogolffrekwensiebane, en is 'n tegnologie wat 'n beduidende impak op die radiofrekwensie-struktuur van bestaande radars en kommunikasie sal hê. Met die aanbreek van die inligtingstydperk, op die gebied van draadlose kommunikasie, veral op die gebied van mobiele kommunikasie en satellietkommunikasie, is daar 'n dringende behoefte aan nuwe toestelle met 'n lae kragverbruik, ultra-miniatuurisering en planêre strukture wat geïntegreer kan word met seinverwerkingskringe. Bedek wye frekwensiebande, insluitend mikrogolf, millimeter en submillimeter golf. Daar is egter steeds 'n groot aantal onontbeerlike afsonderlike komponente van nie-skyfies in huidige kommunikasiestelsels, soos induktors, veranderlike kondensators, filters, koppelaars, faseverskuiwers, skakelaars, ens., Wat die bottelnek geword het wat die verdere vermindering van stelsel grootte. Die opkoms van RF MEMS-tegnologie sal na verwagting hierdie probleem oplos. Passiewe toestelle wat met behulp van RF MEMS-tegnologie vervaardig word, kan direk met aktiewe stroombane in dieselfde skyf geïntegreer word om hoë-skyfie-integrasie van radiofrekwensie-stelsels te bewerkstellig, parasitiese verliese wat deur diskrete komponente veroorsaak word, uit te skakel, en waarlik hoë kohesie en lae koppeling te bereik prestasie van die stelsel.

Wat is die voordele van RF SOI bo RF MEMS?
In die eerste plek kan die RF SOI-proses teen 'n baie hoë frekwensie werk; Ft / Fmax voldoen aan die vereistes van 3 tot 5 keer die millimetergolfbedryfsfrekwensie; RF SOI kan apparaatstapeling bereik, en sodoende die krag- en energie-doeltreffendheidsverhouding terselfdertyd verbeter; derdens, RF SOI Die substraat wat in die proses gebruik word, verminder parasitiese effekte, sodat die vervaardigde RF-skyfie 'n hoër kwaliteitsfaktor, laer verlies en 'n beter geraasgetal het. Terselfdertyd verbeter hierdie substraat ook die isolasievlak en lineariteit van die produk; vierde, RF SOI kan logiese en beheerfunksies integreer, wat nie deur GaAs-tegnologie bereik kan word nie. Daarom moet GaAs-toestelle toegerus wees met 'n beheerskyfie in die toepassing. Met behulp van RF SOI-tegnologie kan PA en beheerfunksies op 'n skyfie geïntegreer word. Alhoewel dit koste verlaag, bespaar dit ook waardevolle PCB-gebied. Uiteindelik het RF-SOI 'n agterspoortfunksie, wat gebruik kan word om die millimetergolf-radiofrekwensie te verfyn om aan die behoeftes van gebruik te voldoen.

Nadat Wang Qingyu, hoofbestuurder van Simao Technology, die ontwikkelingsgeskiedenis van China se slimfoonbedryf nagegaan het, het hy daarop gewys dat met die toename in die aantal slimfone, die vraag na RF-SOI ook vinnig toegeneem het, wat 'n seldsame geleentheid vir China gebring het om RF-SOI te ontwikkel. Geleenthede, maar daar is ook baie uitdagings.

Watter van hierdie twee tegnologieë is meer geskik vir die toekoms?
　　 Die mark vir RF-toestelle en die vervaardigingsproses word sterk, en hierdie tendens is veral duidelik vir die twee sleutelkomponente wat gebruik word in slimfone-RF-skakelapparate en antenna-tuners. Vervaardigers van RF-toestelle en hul gieteryvennote gaan voort met die bekendstelling van tradisionele RF-skakelaars en skyfies wat gebaseer is op RF SOI-prosestegnologie vir die hedendaagse 4G-draadlose netwerke. Onlangs het GlobalFoundries 'n RF-SOI-proses van 45 nm ingestel vir toekomstige 5G-netwerke. RF SOI is die RF-weergawe van silikon-op-isolator (SOI) -tegnologie, wat voordeel trek uit die hoë weerstandskenmerke van die ingeboude isolasiesubstraat.

Ten einde die markstruktuur te verander, stel Cavendish KineTIcs, 'n fabellose IC-ontwerponderneming, 'n nuwe generasie RF-produkte en antennavstuurders bekend op grond van die alternatiewe proses RF MEMS.

RF-skakelaar en ontvanger is twee belangrike komponente in die RF-front-end-module van die selfoon. Die RF-front-end integreer die stuur / ontvang-funksie van die stelsel. Onder hulle lei die RF-skakelaar die draadlose sein, en die ontvanger help om die antenna op enige frekwensieband aan te pas.

Selfs sonder om die veranderinge in RF-toerusting en prosessoorte in ag te neem, is die uitdagings van die huidige RF-mark skrikwekkend genoeg. Paul Dal Santo, president en uitvoerende hoof van Cavendish KineTIcs, het gesê: ''n Paar jaar gelede was RF 'n redelike eenvoudige ontwerp, maar nou het dinge drasties verander. Eerstens moet u RF-front 'n baie wye reeks hanteer. Die frekwensieband strek van 600 MHz tot 3GHz. Met die koms van meer gevorderde 5G-tegnologie, sal die frekwensieband verder uitgebrei word tot 5 GHz tot 60 GHz. Dit bied ongelooflike uitdagings vir vooraanstaande RF-ontwerpers. '

OEM's vir selfone moet hierdie uitdaging die hoof bied, afreken en oorweeg om nuwe komponente te kies. Spesifiek, vir RF-skakelaars en antenna-stemmers, kan dit toegeskryf word aan twee tegnologie-toestelle wat gebaseer is op RF SOI-proses en RF MEMS-proses.

RF SOI is 'n vervaardigingsproses wat tans in diens is. Toestelle gebaseer op RF SOI-tegnologie kan aan die huidige vereistes voldoen, maar hulle begin tegniese probleme ondervind. Daarbenewens is daar steeds prysdruk in die mark. Aangesien toestelle van 200 mm na 300 mm wafers migreer, sal dit ook probleme veroorsaak.

Daarenteen het RF MEMS interessante eienskappe en het op sommige gebiede vordering gemaak. In werklikheid het Cavendish KineTIcs gesê dat sy MEMS-antenna-ontvanger gebaseer op RF MEMS-proses deur Samsung en ander OEM's gebruik word.

Chris Taylor, 'n ontleder van Strategy AnalyTIcs, het gesê: "RF MEMS kan baie lae weerstand bied, wat die invoegingsverlies verminder. RF MEMS het egter nie 'n produksierekord nie, en OEM's vir hoë draadlose stelsels sal nie blindelings op nuwe produkte fokus nie. tegnologieë en klein verskaffers betaal. Natuurlik, in vergelyking met RF SOI-toestelle, moet die prys van RF MEMS voldoende mededingend wees, maar daar is nog 'n groot struikelblok dat OEM's die produk se betroubaarheid moet verifieer en betroubare bronne benodig. "

RF voorkant
Slimfone is 'n groot mark wat RF-skakelaars, antennekoppelaars en ander komponente in die sakeomgewing meng. Die gegewens daarvan is die moeite werd om na te kyk. Volgens data van Pacific Crest Securities word daar in 2017 verwag dat wêreldwye slimfoonversendings met 1% sal groei. In 2016 was die jaarlikse groeikoers van slimfone slegs 1.3%.

Daarenteen word daar volgens Yole Développement se data verwag dat die markgrootte van RF-front-end modules / komponente vir slimfone sal styg van USD 10.1 miljard in 2016 tot USD 22.7 miljard in 2022. Volgens Strategy Analytics, in 2016, het die Die mark vir RF-toerusting was 1.7 miljard dollar werd.

Aangesien OEM's steeds RF-komponente by slimfone voeg, groei die RF-mark. "Multi-band LTE word ook gewild vir lae-end toestelle," het Taylor van Strategy Analytics gesê. "Die mark vir RF-skakelaarkomponente groei."

In die proses van die verskuiwing van die selfoonnetwerk na 4G of Long Term Evolution (LTE) het die aantal RF-skakelaars vir elke selfoon toegeneem. 'Die versendingseenheid waarvan ons praat, is baie groot,' het Taylor gesê. "Deesdae word die meeste RF-skakelaarstoestelle (nie almal nie) in selfone gebruik, en die meeste van hulle gebruik RF SOI-vervaardigingsprosesse. RF MEMS is nog steeds 'n opkomende ding en is onbeduidend in vergelyking met RF SOI-skakelaars."

Ondanks die groot versendings van RF-skakelaars, is die mededinging van die mark erg en die prysdruk groter. Taylor het gesê dat die gemiddelde verkoopprys (ASP) vir hierdie toestelle 10 tot 20 sent is.

Terselfdertyd bestaan die RF-voorkant in 'n eenvoudige stelsel uit meerdere komponente-kragversterker, lae ruisversterker (LNA), filter en RF-skakelaar.

Randy Wolf, 'n tegnikus van GlobalFoundries, het in 'n onlangse toespraak gesê: 'Die hoofdoel van 'n kragversterker is om te verseker dat daar genoeg energie is om u sein of inligting na sy bestemming te bring.

Die LNA versterk die klein sein vanaf die antenne. Die RF-skakelaar lei die sein van een komponent na 'n ander. "Die filter verhoed dat ongewenste seine in die agterkant binnedring," het Wolf gesê.

Op selfone is die radiofrekwensie-funksies van 2G- en 3G-draadlose netwerke baie eenvoudig. 2G het slegs vier frekwensiebande, en 3G het vyf frekwensiebande. Maar 4G het meer as 40 frekwensiebande. 4G kombineer nie net 2G- en 3G-frekwensiebande nie, maar dra ook 'n reeks 4G-frekwensiebande.

Daarbenewens het selfoonoperateurs 'n tegnologie genaamd carrier aggregation ingespan. Verskaffer-samevoeging kombineer verskeie kanale of komponentdraers in 'n groot datapyplyn om hoër bandwydte en vinniger datatempo's in draadlose netwerke te behaal.

Ten einde meervoudige frekwensiebande en samevoeging van draers te hanteer, benodig OEM-vervaardigers ingewikkelde RF-frontmodules. Vandag se RF-frontmodules sal twee of meer multimode- en multiband-kragversterkers, sowel as verskeie skakelaars en filters, integreer. "Dit hang af van die RF-argitektuur wat gebruik word. Die aantal kragversterkers word bepaal deur die adresseerbare plaaslike frekwensiebande van die selfoon." Abhiroop Dutta, Qorvo Mobile Strategic Marketing Manager, het gesê: "Die gebruik van 'n enkele SKU om multiregionale / wêreldwye sellulêre markte te hanteer. 'N Tipiese" volledige Netcom "-foon het 'n baie wye frekwensiebanddekking. In die implementering van die tipiese geïntegreerde RF-front- eindmodule van hierdie selfoon, is die keuse om 'n RF-front-end met 'n subbandmodule te gebruik om aan die verskillende vereistes van hoë, medium en lae frekwensiebande te voldoen. '

Daarenteen is daar 'n ander situasie waar OEM's van slimfone toegewyde telefone vir spesifieke markte kan ontwerp. "'N Voorbeeld is 'n mobiele telefoon vir die Chinese vastelandmark. In hierdie geval moet die RF-front-end 'n frekwensieband uniek in die streek ondersteun," het Dutta gesê.

Volgens Cavendish Kinetics is daar twee antennas op LTE-selfone, die hoofantenne en die diversiteitsantenne. In hoofsaak word die hoofantenne gebruik vir die uitsending / ontvangs van funksies, en die diversiteitsantenne word gebruik om die data-afwaartse snelheid van die selfoon te verhoog.

In werklike werking bereik die sein eers die hoofantenne en beweeg dan na die antenna-ontvanger, wat die stelsel in staat stel om aan te pas by enige frekwensieband. Dan gaan die sein na 'n reeks RF-skakelaars. "Dit skakel om na die toepaslike frekwensieband wat u wil gebruik, soos GSM, 3G of 4G," het Wolf van GlobalFoundries gesê. "Van daar af gaan die sein in die filter, dan die kragversterker en uiteindelik die ontvanger."

In ag genome hierdie kompleksiteit, staan selfoon-OEM's voor 'n paar uitdagings, en kragverbruik en -grootte is van kritieke belang. "As gevolg van hierdie ingewikkeldheid sal die sein meer verlies aan die voorkant hê, wat 'n negatiewe uitwerking op die totale geraas van u ontvanger sal hê," het Wolf gesê.

Dit is duidelik dat die RF-skakelaar 'n sleutelrol speel om hierdie probleem op te los. Oor die algemeen kan 'n slimfoon meer as tien RF-skakelaarstoestelle bevat. Die basiese RF-skakelaar gebruik 'n SPST-konfigurasie (single pole single throw). Dit is 'n eenvoudige aan-uit skakelaar.

Vandag gebruik OEM-vervaardigers meer ingewikkelde skakelaars. Ron * Coff is die belangrikste aanduiding van RF-skakelaars. Volgens Peregrine Semiconductor weerspieël "Ron * Coff hoeveel verlies (Ron of onweerstand) die RF-sein voorkom wanneer die skakelaar in die" aan "-toestand is, en hoeveel energie die RF-sein deur die kondensator lek as die skakelaar in die "uit" -verhouding (Coff of uitschakelingskapasiteit). "

Al met al, wat OEM-vervaardigers benodig, is 'n RF-skakelaar sonder verlies van invoeging en goeie isolasie. Invoerverlies hou verband met die verlies aan seinvermoë. As die RF-skakelaar nie goeie isolasie bewerkstellig nie, kan die stelsel steur. 'Oor die algemeen is die uitdaging vir RF-front-eindes om die steeds toenemende prestasievereistes te ondersteun en tred te hou met ontwikkelende standaarde en toenemende frekwensie-dekking. Nie net dit nie, aangesien mobiele telefone dunner word, word die pakketgrootte van RF-oplossings ook al hoe kleiner. Dutta van Qorvo het gesê dat sleutelaanwysers soos invoerverlies, antennakrag en isolasie steeds die dryfvere is vir die voortdurende ontwikkeling van oplossings vir RF-produkte.

oplossing
Vandag gebruik die kragversterker van selfone hoofsaaklik Gallium-arsenied (GaAs) tegnologie. 'N Paar jaar gelede het OEM's vervaardigingsprosesse soos radiofrekwensie-skakelaars van GaA's en saffier (SoS) na RF SOI gemigreer. GaAs en SoS is variante van SOI, en namate RF-skakelaars al hoe ingewikkelder word, word hierdie twee prosesse te duur.

RF SOI verskil van heeltemal uitgeputte SOI (FD-SOI) en is geskik vir digitale toepassings. Soortgelyk aan FD-SOI, het RF SOI 'n baie dun isolerende laag in die substraat, wat 'n hoë afbreekspanning en lae lekstroom kan bereik.

Peter Rabbeni, hoof van GlobalFoundries RF Business Unit, het gesê: "Die mobiele mark is steeds optimisties oor RF SOI, want dit kan lae invoegverliese, lae harmonieke en hoë lineariteit oor 'n wye frekwensie bied, wat goeie prestasie en koste-effektiwiteit kan behaal. "

Vandag bied maatskappye soos Qorvo, Peregrine en Skyworks RF-skakelaars gebaseer op RF SOI. Gewoonlik gebruik vervaardigers van RF-skakelaars gieterye om hierdie produkte te vervaardig. GlobalFoundries, STMicroelectronics, TowerJazz en UMC is leiers in die RF SOI-gietery.

Daarom het OEM's verskeie keuses in komponentverskaffers en gieteryprodukte. Gewoonlik bied gieterye RF SOI-prosesse, wat knope van 180nm tot 45nm en verskillende wafergroottes dek.

Om te besluit watter knooppunt u wil gebruik, hang af van die spesifieke toepassing. Wu Kun, visepresident van sakebestuur van UMC, het gesê: "Wat die spesifikasie van RF SOI-tegnologie betref, is alles om tegniese oplossings te beskou wat geskik is vir terminale toepassings vanuit die perspektief van tegniese prestasie, koste en kragverbruik."

Selfs met verskeie opsies, staan vervaardigers van RF-skakelaars voor 'n paar uitdagings. Die RF-skakelaar self bevat 'n veldeffektransistor (FET). Soos die meeste toestelle, word FET's beïnvloed deur ongewenste kanaalweerstand en kapasitansie.

In RF-skakelaars word FET's in stapels gebruik. Oor die algemeen is 10 tot 14 FET's gestapel in vandag se RF-skakelaars. Volgens kenners kan toestelle probleme ondervind wat verband hou met die invoeging en weerstand, namate die aantal FET's toeneem.

Nog 'n probleem is kapasitansie. Skyworks het in 2014 'n artikel gepubliseer met die titel "Die nuutste ontwikkelinge en toekomstige tendense van SOI-tegnologie in RF-toepassings", en gesê: "In RF-skakelaars kom 30% of meer van die ongewenste kapasiteit van die interkonneksie in die toestel. Die interkonneksie is 'n metaal laag- of mikrobedradingskema, insluitend RF-SOI-gebaseerde skakelaars.

Oor die algemeen is die vervaardigingsproses vir RF-skakelaars in 4G-selfone 180 nm en 130 nm knope op 200 mm-wafels. Baie (maar nie al nie) onderling verbindingslae is gebaseer op aluminium. Interkonneksies van aluminium word al jare lank in die IC-industrie gebruik en is goedkoop, maar hulle het ook 'n hoër kapasiteit.

Daarom word koper in geselekteerde lae in RF-toestelle gebruik. Koper is 'n beter geleier en het minder weerstand as aluminium. Ng het gesê: "Die tradisionele metaalstapel wat gebruik word in RF CMOS-prosesprodukte van 130 nm, sluit koste-effektiewe aluminium-verbindingslae en prestasie-bevoordeelde koper-verbindingslae in." Dit is die beste oplossing om koste en prestasie te balanseer. RF SOI-oplossings bevat gewoonlik 'n sekere aantal aluminiummetaallae en een of meer koperlae.

Gewoonlik word koper as 'n ultra-dik metaallaag op die boonste laag gebruik om die prestasie van passiewe toestelle te verbeter. Hy het gesê: "Dit is die beste om 'n dik metaal soos koper te gebruik, wat ohmiese verliese kan verminder en die prestasie kan verbeter."

Onlangs het vervaardigers van RF-toerusting van 200 mm-wafels na 300 mm-wafels migreer, en hul prosesknope het ook van 130 nm tot 45 nm gemigreer. Oor die algemeen gebruik fabrieke van 300 mm slegs koperverbindings.

Deur slegs koperkoppelstukke te gebruik, kan vervaardigers van RF-skakelaars die kapasiteit verminder. 300 mm-wafels het egter die vervaardigingskoste verhoog, wat teenstrydighede in die mark veroorsaak. Enersyds benodig koste-sensitiewe OEM's vir selfone RF-skakelaars om hul pryse laag te hou. Aan die ander kant hoop vervaardigers en gieterye van RF-toerusting om wins te behou.

"Vandag word baie min RF SOI-toestelle op 300 mm-wafels vervaardig," het Ng gesê. "Daar is baie redes vir hierdie situasie, insluitend die koste / beskikbaarheid van die 300 mm RF SOI-substraat, en die infrastruktuur om verwerking na silikon te ondersteun. Ons verwag egter dat hierdie uitdagings in die volgende paar jaar aansienlik sal wees. opgelos, en dan sal die meeste hoë-volume RF SOI-toepassings na 300 mm-wafels migreer. '

Voor hierdie tyd kan die bedryf 'n vraag en aanbod van 300 mm ondervind. "Ons glo dat voordat die produksie na 300 mm-wafels migreer, die mark altyd die uitdaging van tekort sal hê. Hoe vinnig die produksiekapasiteit van stapel gestuur word en hoe groot die vraag is, sal weerspieël word in die teenstrydigheid tussen vraag en aanbod." Hy het gesê.

Die huidige RF SOI-proses is geskik vir 4G-selfone. GlobalFoundries hoop om uit te staan in die 5G-kompetisie en het onlangs 'n 45nm RF SOI-proses vir 5G-toepassings geloods. Hierdie proses maak gebruik van 'n SOI-substraat wat met hoë weerstandboorgate verryk word.
5G is 'n opgradering van 4G-netwerke. Die huidige LTE-netwerkfrekwensieband is tussen 700 MHz en 3.5 GHz. Daarenteen sal 5G nie net saam met LTE bestaan nie, maar ook in die millimeter golfband tussen 30 GHz en 300 GHz werk. 5G verhoog die datatransmissiesnelheid tot meer as 10 Gbps, wat 100 keer die van LTE is. Maar die grootskaalse implementering van 5G word in 2020 en daarna verwag.

In elk geval het 5G 'n nuwe komponent nodig. "(45nm RF SOI) is hoofsaaklik gefokus op die 5G-millimetergolffront. Dit integreer PA-, LNA-, skakel- en faseverskuiwers om 'n geïntegreerde millimeter golfbeheerbare balkvormer vir 5G-stelsels te skep.” het Rabbeni van GlobalFoundries gesê.

Daar is ander oplossings vir 5G, en RF MEMS is een daarvan. Daarbenewens het TowerJazz en die Universiteit van Kalifornië, San Diego onlangs 'n 12Gbps 5G gefaseerde skyfiestel getoon. Die skyfiestel gebruik TowerJazz se SiGe BiCMOS-tegnologie.

Watter proses sal wen? Die enigste tyd sal ons die antwoord gee. "Dit is nie duidelik of RF MEMS 'n voordeel het in 5G-toepassings nie," het Taylor van Strategy Analytics gesê.

Wat is RF MEMS?
RF-skakelaars gebaseer op RF SOI sal steeds oorheers, maar die nuwe tegnologie kan RF MEMS ook 'n sekere leefruimte hê. "Met verloop van tyd het SOI ongelooflike vordering gemaak. Weerstand het gedaal en lineariteit het beter geword." het Dal Santo van Cavendish Kinetics gesê. "Maar die essensie van 'n SOI-skakelaar is dat 'n transistor in- of afgeskakel word. As dit aangeskakel is, is die werkverrigting nie baie goed nie, en as dit af is, is dit nie baie goed nie.

Vir baie jare vorder RF MEMS-tegnologie geleidelik. Vandag ontwikkel Cavendish, Menlo Micro en WiSpry (AAC Technologies) RF MEMS vir mobiele toepassings.

RF MEMS verskil van sensorgebaseerde MEMS soos gyroskope en versnellingsmeters. Die sensor MEMS omskakel meganiese energie in elektriese seine. Daarenteen voer RF MEMS slegs seinoordrag uit.

Aanvanklik het maatskappye soos Cavendish RF MEMS-tegnologie toegepas op die antenna-ontvangermark met behulp van RF SOI en ander prosesse.

"As die antenne vas is, kan ons nie die verskillende frekwensiebande laat ondersteun nie. Die antenne moet dus verstel word," het Dal Santo gesê. "Die belangrikste metode is nou om te skakel, óf tussen verskillende vaste kondensators te skakel, of om te skakel tussen verskillende vaste induktors. Die probleem is dat die antenne 'n hoë-Q-toestel is. U moet versigtig wees, anders sal dit 'n verlies aan stralingsprestasie. "

Daarenteen het die tuner van Cavendish 32 verskillende kapasitansiereekse. "Hulle is volledig programmeerbaar en het 'n baie goeie Q-prestasie. Die verlies aan stralingsprestasie is dus baie laag. U kan dit gebruik om die antenna aan te pas by die frekwensie wat u moet ondersteun." Hy het gesê.

Met die oog op die toekoms beplan Cavendish om RF SOI-toestelle in die groter RF-skakelaarveld in te neem. Hy het gesê: "As u RF SOI vervang deur 'n regte skakelaar, is dit 'n MEMS-skakelaar, en die invoegverlies van u ontvanger of sender sal verminder word." Hy het gesê.

Sal RF MEMS-toestelle egter RF-SOI-gebaseerde toestelle vervang? Oor hierdie kwessie kan TowerJazz insigte lewer. TowerJazz bied tradisionele RF SOI-tegnologie en is ook 'n gieterijverskaffer van Cavendish se RF MEMS-toestelle.

"RF MEMS en RF SOI kan 'n paar klein oorvleuelings hê om vir dieselfde toepassings te kompeteer. Oor die algemeen is dit aanvullend. RF MEMS word gebruik vir die veeleisendste toepassings, en RF SOI word gebruik vir die oorblywende toepassings," het TowerJazz gesê Marco Racanelli , senior vise-president en hoofbestuurder van die RF / High Performance Analog Business Unit.
"RF SOI-tegnologie sal voortgaan om te ontwikkel en dit is steeds beskikbaar vir RF-skakelaartoepassings en sommige markte met 'n lae geraasversterker," het Racanelli gesê. "In sommige spesiale toepassings kan alternatiewe tegnologieë soos SiGe vir lae-geluidsversterkers en MEMS vir skakelaars egter beter lineariteit of laer verlies bied. Kortom, RF SOI sal steeds 'n groeiende mark wees. Dienste, ander tegnologieë sal ook ontwikkel . "
RF MEMS het 'n plek in die mark vir antenna-ontvanger gekry, en of dit sy antennas na die RF-skakelaar kan uitbrei, moet nog vasgestel word. "In die toekoms, in vergelyking met die ingeboude RF SOI, kan RF MEMS help om die datatempo van selfone te verhoog deur meer lineêre en laer verlies skakelaars te bied." Hy het gesê. "In RF MEMS kan metaalplate direk gekontak word in die" aan "-toestand om 'n metaal-, lae-verlies-, lineêre verbinding te vorm. Hoër lineariteit laat meer frekwensiebande en meer ingewikkelde modulasieskema toe, wat die telefoon se datatempo verhoog.